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中芯国际FinFETN+1先进工艺关键突破:国产版「7nm制程」,不需要EUV光刻机
浏览量:  添加时间:2020-10-14 11:47

中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技(INNOSILICON)昨天发布:已完成全球首个基于中芯国际 FinFET  N+1 先进工艺的芯片流片和测试,所有 IP 全自主国产,功能一次测试通过。
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关于N+1工艺,中芯国际联合CEO梁孟松今年初曾透露,该工艺在功率和稳定性方面与7nm工艺非常相似,且不需要EUV光刻机,但在性能方面提升还不够,所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。其曾表示,中芯国际N+1工艺和14nm相比,性能提升20%,功耗降低57%,而7nm市场基准性能提升应该是35%。

IT之家获悉,《珠海特区报》10月11日报道了《“国产芯”突围刻不容缓》文章,其中写道:“芯动科技首个基于中芯国际先进工艺的芯片流片和测试成功,不仅意味着具有自主知识产权的‘国产芯’再次打破国外垄断,同时也说明‘国产版’的7nm芯片制造技术已经得到突破。”

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